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新型激光材料加工专利大幅提升SiC生产率-顶盛体育APP下载
2021-08-03 [52690]
本文摘要:日本国DISCO企业的专家用于一种称之为重要不定形黑色不断汲取(keyamorphous-blackrepetitiveabsorption,KABRA)的专利权和已经专利申请的激光器原材料生产加工技术性,能够将碳碳复合材料(SiC)晶圆的生产效率提升 到本来的四倍,而且在提高效益的另外提升原材料耗损。

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日本国DISCO企业的专家用于一种称之为重要不定形黑色不断汲取(keyamorphous-blackrepetitiveabsorption,KABRA)的专利权和已经专利申请的激光器原材料生产加工技术性,能够将碳碳复合材料(SiC)晶圆的生产效率提升 到本来的四倍,而且在提高效益的另外提升原材料耗损。该技术性仅限于于单晶体和多晶锭,无论结晶层的趋向怎样。现阶段,SiC电力电子器件在销售市场中的渗透到较快,关键是由于其生产量小、且生产制造低成本。殊不知,KABRA方式必须显著提高SiC元器件的生产量,而且理应必须使SiC元器件做为电力电子器件、室内空间反射镜片、超稳定电子光学模貝和热辐射测量仪等商品而获得更强的销售市场驱动器能量。

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为了更好地用于薄厚为20毫米、直徑为4英寸的晶锭生产制造薄厚为350μm的SiC晶圆,传统式的用于金钢石线锯的生产加工工艺,切成每片晶圆务必1.6~2.4钟头,接着也要进行双面研磨工艺和最终打磨抛光工艺,从一个晶锭生产制造30片晶圆,一共务必2.5~3.5天的時间。尽管很多打磨抛光工艺已经产品研发中,但SiC仍然是一种十分绵软的硬实原材料,因为在机械设备切成全过程中组成浅的轻缓凹形槽,因此 SiC必不可少十分仔细地进行碾磨。KABRA晶圆提取从其姓名上能够显出,KABRA工艺实质上把激光器讨论在SiC芯片的內部,根据不断根据或“不定形黑色不断汲取”,将SiC转化成无定形硅和无定形碳,并组成做为晶圆提取基准点的一层,即黑色不定形层汲取更强的光,进而必须很更非常容易地提取晶圆(闻图1)。与传统式工艺中的1.6~2.4钟头相比,KABRA工艺仅有效25分鐘来提取每片晶圆,与用于基本切成片工艺、每片晶圆将带来200μm的原材料耗损相比,KABRA工艺在提取期内并不造成原材料耗损。

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除此之外,金刚石刀具提取的晶圆务必16钟头的最终碾磨時间,这在KABRA工艺中也不是务必的。总而言之,运用传统式工艺,从一个晶锭中生产制造出有30片晶圆,务必2.5~3.5天的時间;而用于KABRA工艺,从一个晶锭中生产制造出有44片晶圆,仅有务必18钟头的時间,这相当于3~5倍的生产效率提升 (也就是说生产量约为本来的四倍)。

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